SK hynix está desarrollando chips LPDDR6 de 16 GB con un ancho de banda de 10,7 Gb/s para dispositivos insignia de nueva generación

SK hynix muestra el primer LPDDR6 de 16 Gbps en proceso “1c” de 10 nm

Memoria de alta velocidad 16‑gigabit LPDDR6 (1c) – el primer producto del sector fabricado con un proceso de 10 nm de sexta generación.
Fecha de demostración CES 2026: la compañía mostró por primera vez un chip completo y completó su primera prueba industrial.
Público objetivo: smartphones y tabletas con “AI‑on‑device” (procesamiento de inteligencia artificial directamente en el dispositivo).

Indicadores técnicos clave
Indicador | Valor | Comparación
Velocidad de transmisión > 10,7 Gbps (base) +33 % respecto a LPDDR5X
Eficiencia energética 20 % mejor gracias a la estructura subcanal y DVFS

- Los subcanales permiten activar solo las pistas de datos necesarias, ahorrando energía.
- DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) regula dinámicamente el voltaje y la frecuencia según la carga.

Cómo cambia la experiencia del usuario
Carga | Comportamiento de la memoria
Alta (juegos, aplicaciones AI) Aumenta el ancho de banda, mejora el rendimiento.
Baja (textos, redes sociales) Reduce la frecuencia y el voltaje, ahorra batería.

Se espera una mejora en la autonomía y multitarea de los dispositivos móviles.

Plan de lanzamiento
- Preparación para producción en serie: primera mitad de 2026.
- Primeras entregas: segunda mitad de 2026.

SK hynix afirma que el nuevo LPDDR6 ampliará la línea de DRAM para dispositivos móviles orientados a la inteligencia artificial, apoyando la creciente tendencia de incorporar cálculos AI directamente en teléfonos y tabletas.