Samsung y SK Hynix invirtieron casi mil millones de dólares en el crecimiento de la producción de memoria en China el año pasado.

¿Cómo los gigantes surcoreanos de memoria mantienen el acceso a equipos estadounidenses y desarrollan la producción en China

Durante la presidencia de Joe Biden, las autoridades estadounidenses intentaron limitar la capacidad de los fabricantes surcoreanos para expandir sus fábricas en China. Estas plantas son clave para el suministro de chips de memoria al mercado mundial. Sin embargo, Samsung y SK Hynix lograron conservar el acceso a equipos estadounidenses mientras invertían en la modernización de sus instalaciones chinas.

1. Samsung Electronics
IndicadorDatosInversión en Xi'an (2023) $344 millonesCrecimiento respecto a 2022 +67,5 %Rol de la plantaLa única instalación extranjera de Samsung para memoria NAND; cubre hasta el 40 % del volumen mundial de producciónHistoria de inversionesDespués de invertir $464 millones en 2019, la compañía no realizó grandes financiamientos durante cuatro años. En 2024 se asignaron $184 millones, y el año pasado la cifra casi se duplicó.
Así, Xi'an se convirtió en un centro estratégico para Samsung, especialmente considerando el aumento de la demanda de memoria en la era de la inteligencia artificial.

2. SK Hynix
IndicadorDatosInversión total en China (2023) más de $663 millonesPlantas– planta DRAM en Wuxi; fábrica 3D‑NAND en Dalian, comprada a Intel en 2022.Inversión en Wuxi (2023) duplicada a $190 millonesInversión en Dalian (2023) $293 millones (una vez y media más que en 2024)Peso económico≈1 billón de wones surcoreanos – suma significativa para la empresa
SK Hynix expande activamente la producción de DRAM y 3D‑NAND para satisfacer la creciente demanda de memoria por IA y servicios en la nube.

3. Planes tecnológicos
EmpresaProducto planificadoDónde se produciráSamsung236‑capas 3D‑NAND (cambio de 128 capas)ChinaSamsung400‑capas 3D‑NANDCorea del SurSK HynixTransferencia del proceso DRAM en Wuxi a la cuarta generación de 10 nm (1ª)Wuxi, China
- Samsung planea lanzar una memoria más avanzada de 236 capas en China, lo que le permitirá seguir siendo competitiva pese a las restricciones tecnológicas del país.

- SK Hynix tiene previsto actualizar el proceso tecnológico de la planta DRAM en Wuxi a 10 nm (1ª), garantizando una producción eficiente de DDR5. La planta ya representa más del 30 % del volumen mundial de DRAM de la compañía.

Conclusión
A pesar de los esfuerzos de EE. UU. por limitar el acceso de los fabricantes surcoreanos a equipos estadounidenses, Samsung y SK Hynix continúan invirtiendo cientos de millones de dólares en China. Esto les permite mantener su competitividad, ampliar la producción de NAND‑memoria y DRAM y prepararse para el futuro crecimiento de la demanda, especialmente en el ámbito de la inteligencia artificial.