Samsung presentó en Computex 2026 el prototipo de memoria HBM5 Stack

Samsung Electronics — primeros pasos hacia HBM5

Recientemente Samsung Electronics anunció el inicio de la entrega de muestras de memoria HBM4E, pero al mismo tiempo ya está desarrollando activamente la siguiente generación: HBM5. En la exposición Computex 2025 la compañía mostró solo un gran modelo del chip HBM5 para dar una idea general de su estructura. Ya se puede ver que la tecnología será compleja y exigente.

Detalles clave del desarrollo
ParámetroQué hace SamsungCristal baseProducción propia en proceso de 2 nmNúmero de capas DRAMDe 12 a 20 (tecnología clase 1c)Transistores GAASe planea usar en chips de 2 nmProceso de 1 nm por debajoLa compañía está segura de que podrá dominarlo en el futuro

El director técnico del departamento Samsung Electronics, Song Jaehyuk, confirmó la participación de la empresa en el desarrollo e implementación de estas tecnologías. La existencia de una unidad contractual permite satisfacer los requisitos de los clientes más exigentes, incluidos Nvidia.

Comparación con HBM4E
* HBM4E utiliza un cristal base de 4 nm y proceso de 1c para fabricar chips DRAM que forman la pila de memoria.
* HBM5 ofrecerá:
* Un cristal más delgado (2 nm) y un número flexible de capas (12–20).
* Heat Path Block (HPB): canal de disipación térmica para enfriamiento eficiente.
* Velocidad de intercambio de datos aumentada gracias a una arquitectura mejorada.

La tecnología HPB ya está afinada en el caso de HBM4E, y Samsung planea usar métodos avanzados de disipación térmica para mejorar la estabilidad de la memoria. La producción masiva de HBM5 está prevista a partir de 2028, y dentro de HBM5E los cristales DRAM se fabricarán con un proceso más avanzado de 1d.

Qué hacen los competidores
* SK hynix utiliza una tecnología de enfriamiento similar: iHBM. Esto significa que la solución de Samsung no es única en cuanto a disipación térmica.
* SK hynix también está implementando chips de 2 nm dentro de HBM5 y planea producción masiva usando iHBM.

Conclusión
Samsung Electronics ya está desarrollando HBM5 basado en un proceso de 2 nm, prevé hasta 20 capas DRAM y un innovador disipador térmico HPB. La producción masiva está programada para 2028, y competidores como SK hynix aplican soluciones similares (iHBM). En general, Samsung demuestra confianza en dominar tecnologías por debajo de 1 nm y disposición a satisfacer las demandas de los mayores clientes.