Samsung está trabajando en HBM5 con la posibilidad de usar incluso cristales de 2 nm
Nuevos pasos de Nvidia y Samsung en el desarrollo de memoria HBM
Este mes se confirmó la confianza del liderazgo de Nvidia en la calidad de la memoria HBM4 de Samsung Electronics: el fundador de Nvidia, Jensen Huang, señaló personalmente en una placa de demostración con chips HBM4 que la memoria es “increíble”. Al mismo tiempo, Samsung ya está trabajando en las siguientes versiones – HBM5 y HBM5E.
Lo que informó Business Korea
* HBM5 de Samsung
* El cristal base (pila de memoria) se producirá con tecnología de 2 nm.
* Los cristales DRAM en la pila utilizan la sexta generación del proceso tecnológico de 10 nm, denominado “1c”.
* HBM5E de Samsung
* En su núcleo – el mismo cristal de 2 nm.
* La parte DRAM se fabricará con una versión más reciente del proceso tecnológico de 10 nm – “1d”.
Así, Samsung combina las tecnologías más modernas y probadas para reducir los riesgos en la producción de HBM.
Colaboración con Nvidia
* Groq 3 – procesadores especializados que ahora serán producidos por Samsung en capacidades contractuales con el proceso tecnológico de 4 nm.
* El jefe del departamento de Samsung, Han Jin-man, enfatizó: “4 nm no se puede considerar mediocre”.
* Nvidia ha colaborado durante mucho tiempo con Samsung en chips LPU (2023) y eligió específicamente su proceso tecnológico de 4 nm para Groq 3.
* La producción masiva está planificada para finales del tercer/primero trimestre del próximo año, y se espera una demanda significativa a partir del siguiente año.
Evento GTC 2026
En la conferencia GTC 2026 en California, Nvidia anunció la colaboración y mostró chips HBM4, HBM5, Groq 3.
* Huang firmó su autógrafo en la placa con Groq 3, describiéndolos como “superrápidos”.
* En el mismo evento estuvieron presentes representantes de Samsung y SK hynix – confirmando la importancia de los proveedores coreanos para Nvidia.
Conclusiones clave
1. Socio confiable – Samsung desarrolla exitosamente HBM4, y ahora ya HBM5/EBM5 utilizando tecnología de 2 nm para cristales base y procesos probados de 10 nm para las partes DRAM.
2. Avance tecnológico – la transición a 2 nm aumenta el rendimiento y reduce el riesgo de errores en el proceso de fabricación.
3. Garantía de compatibilidad – la colaboración existente con Nvidia (Groq) confirma que Samsung puede suministrar chips según los estándares requeridos.
Así, Nvidia ve a Samsung como un socio confiable para el desarrollo futuro de memoria de alto rendimiento y procesadores especializados.
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