Samsung deja de fabricar 2‑D NAND y traslada las fábricas a la producción de HBM4.

Samsung deja de fabricar memorias flash 2‑D NAND y reorienta sus fábricas hacia HBM4

Este año Samsung anunció la retirada total de la producción de memoria flash 2‑D NAND. Las líneas restantes se redirigirán a la fabricación de memoria HBM4, que actualmente está en gran demanda debido al rápido crecimiento de la IA.

¿Qué ocurre en la fábrica de Hwason
Según *The Elec Korea*, Samsung planea cerrar la producción de 2‑D NAND en su instalación de Hwason. En lugar de retirar por completo la línea, la empresa la reconfigurará para la metalización del DRAM – el proceso de colocar pistas que conectan las celdas de memoria dentro del chip.

- Capacidad de la línea 12: entre 80 000 y 100 000 placas de 12 pulgadas al mes.

- Estas placas se utilizaban exclusivamente para flash 2‑D NAND, pero la tecnología ya está obsoleta tras la aparición del 3‑D NAND.

Ahora en esta línea se producirá DRAM de sexta generación (10 nm), utilizado en HBM4. Samsung estima que la capacidad mensual total de producción de DRAM – incluidas las líneas 3 y 4 en Pyeontae – alcanzará aproximadamente 200 000 placas a finales del segundo semestre.

¿Por qué el 2‑D NAND se va
La memoria 2‑D NAND apareció por primera vez a fines de la década de 1990. En los últimos años, los fabricantes han ido abandonándola gradualmente, pasando al más avanzado 3‑D NAND. La tecnología 3‑D NAND ofrece ventajas significativas: mayor capacidad, mejor fiabilidad y velocidades mucho mayores.

Según el plan de Samsung, la final retirada de la producción de 2‑D NAND está prevista para marzo. Después de eso, la fábrica se convertirá por completo en la fabricación de soluciones más modernas – incluidas las HBM4, que son demandadas en sistemas computacionales de alto rendimiento y aplicaciones de IA.