Japón ha creado nanotubos semiconductores de 1 nanómetro, casi listos como canales de transistores

Noticia sobre la creación de nanotubos semiconductores ultra delgados de MoS₂

*Resumen:*

Científicos japoneses han logrado cultivar tubos monolayer de sulfuro de molibdeno (MoS₂) con un diámetro de aproximadamente 1 nm, cien mil veces más delgado que un cabello humano. Es la primera vez que se obtienen tales estructuras a partir de un semiconductor inorgánico en lugar de carbono, y ya pueden servir como “canales” para futuros transistores con puerta todo alrededor (gate‑all‑around).

¿Qué se hizo exactamente?
1. Crecimiento en “cúpula”

- Como molde se utilizó un nanotubo de nitruro de boro (BN).

- BN actúa simultáneamente como aislante y contenedor, dentro del cual crece el MoS₂.

2. Proceso de síntesis

- Tras una serie de calcificaciones en la cúpula de BN se forma un tubo monolayer casi perfecto de MoS₂.

- La estructura resultante tiene un diámetro ~1 nm y está rodeada por una capa aislante de BN, prácticamente un canal de transistor listo.

3. Aplicación potencial

- Estos nanotubos podrían ser la base para transistores con puerta que envuelve el canal por todos los lados, algo que se está desarrollando activamente por los principales fabricantes de chips.

¿Por qué es importante?
Tipo de tubo | Diámetro (≈) | Multicapa de carbono | 10 nm | Monolayer de carbono | 5 nm | Tubo MoS₂ | 1 nm
- Delgadez: Los tubos MoS₂ son cien mil veces más delgados que un cabello, lo que los convierte en una de las estructuras semiconductoras más pequeñas.

- Nuevas posibilidades: Los investigadores afirman que el método puede aplicarse a otros semiconductores e incluso a materiales superconductores, ampliando la gama tecnológica más allá de los nanotubos de carbono y el grafeno.

¿Qué sigue?
*Objetivo a corto plazo:*

Aumentar la longitud del tubo de ~1 nm a 1 µm, mil veces mayor. Esto permitirá su uso en dispositivos prácticos que requieran un canal transistor más largo.

Conclusión:

La creación de nanotubos MoS₂ con diámetro de 1 nm abre un nuevo camino hacia la miniaturización de componentes semiconductores y podría convertirse en un elemento clave para futuros microchips de alto rendimiento.