Intel presentó la tecnología 18A-P: más rápida, eficiente en energía y con refrigeración mejorada

Intel fortalece su línea de chips 18 A y prepara una nueva versión – 18 A‑P

La compañía Intel continúa la producción masiva de microchips construidos con el proceso tecnológico de 18 A (1,8 nm). Al mismo tiempo se está trabajando en una versión mejorada de este proceso – 18 A‑P, que debe llegar al mercado en los próximos trimestres.

¿Qué hay de nuevo en 18 A‑P?
ParámetroDescripción
Transistores Se introducen dos nuevos tipos de RibbonFET con puerta rodeada. Permiten aumentar las frecuencias de bloques críticos y, al mismo tiempo, reducir el consumo energético en áreas menos exigentes.
Control de variabilidad Se mejora la gestión del dispersión de parámetros de los cristales: la desviación entre “rápidos” y “lentos” se ha reducido, y la dispersión central – excluyendo la placa – también disminuyó.
Umbral de tensión Se añaden más opciones de umbral de tensión (de 4 a más de 5 pares), lo que aumenta la precisión del cribado de cristales y eleva el porcentaje de productos que cumplen las especificaciones.
Disipación térmica La conductividad térmica mejora en ~50 %. Esto permite compensar la mayor densidad de potencia de los transistores con puerta rodeada y reduce la degradación durante el calentamiento prolongado.
Consumo energético / rendimiento En comparación con el 18 A base, los chips pueden aumentar la eficiencia en un 9 % con la misma energía o reducir el consumo de potencia hasta un 18 %, manteniendo el mismo rendimiento y complejidad.

Cómo se ve en la práctica
- Parámetros geométricos conservados: paso de puerta (50 nm) y alturas de celda (180 nm / 160 nm) permanecen iguales, lo que permite trasladar diseños existentes de 18 A a 18 A‑P sin cambios drásticos. Sin embargo, para lograr la máxima eficiencia aún se requiere una optimización adicional de la arquitectura.

- Optimización de líneas metálicas: se modifican la resistencia y capacitancia de los metales, lo que afecta la velocidad de señal, el consumo energético y las latencias (los números concretos todavía no se han revelado).

- Mejoras en fiabilidad: un Vmin mínimo más estable para lógica y SRAM mejora la calidad del funcionamiento a corrientes bajas.

Por qué es importante
1. Para dispositivos de consumo – aumentar el rendimiento sin incrementar la disipación térmica hace que los chips sean más atractivos para smartphones, laptops y otros gadgets portátiles.

2. Para servidores y centros de datos – una mejor disipación térmica y resistencia a tensiones altas aumentan la fiabilidad bajo carga prolongada.

3. Efecto económico – el crecimiento de la proporción de silicio de calidad en una sola placa conduce a un mayor rendimiento de productos aptos, reduciendo el costo unitario de los chips.

Conclusión
Intel continúa desarrollando su proceso 18 A, mientras prepara simultáneamente una versión más avanzada, 18 A‑P. Los nuevos transistores RibbonFET, el control de calidad reforzado y las mejoras térmicas prometen un aumento significativo en eficiencia y fiabilidad, lo que hace que esta tecnología sea atractiva tanto para mercados de consumo como profesionales.