Intel, en colaboración con SoftBank, planea lanzar un reemplazo de la memoria HBM ya para el año 2029

SoftBank e Intel planean lanzar al mercado una nueva memoria Z‑Angle Memory (ZAM) para el año 2029

¿Cómo se implementará?
Responsables: SoftBank, a través de su filial Saimemory, que desarrollará y venderá la tecnología. Intel proporcionará las tecnologías de fabricación y empaquetado.
Participación de otros actores: Fujitsu de Japón también participa en el proyecto.

¿Por qué se necesita Z‑Angle Memory?
* Problemas con la HBM existente:

- Muy cara y consume mucha energía.

- Al aumentar los volúmenes de producción, el DRAM clásico sufre falta de recursos.

* Objetivo de Z‑AM: ofrecer una alternativa más económica y energética sin perder alta densidad de datos.

Características técnicas
Parámetro | Descripción
---|---
Estructura | Pila de varios niveles de chips (similar a HBM), pero con métodos de empaquetado y arquitectura más avanzados.
Densidad | Capacidad por pila 2‑3 veces mayor que la HBM.
Consumo energético | Reducido aproximadamente a la mitad respecto a la HBM.
Costo de producción | Se espera mantener el nivel actual o reducirlo hasta un 40 %.

Tecnología de empaquetado
* Intel ofrece la tecnología NGDB (Next‑Generation Die Bonding), que mejora la eficiencia energética de la memoria ZAM comparada con la HBM.
* En los prototipos ya se han implementado ocho niveles de DRAM sobre el cristal base.

Plan de lanzamiento
1. Prototipos intermedios – demostración antes de finales de marzo de 2028.
2. Producción masiva – inicio dentro de los siguientes 12 meses tras la presentación, es decir, alrededor de mediados de 2029.

Así, SoftBank e Intel pretenden escalar rápidamente la producción de Z‑Angle Memory, ofreciendo una opción más accesible y eficiente energéticamente para futuros sistemas de alto rendimiento.